本发明提供一种快闪存储器制程，具体涉及一种分离式快闪存储器制程，其是用以增进一浮动栅尖头的锐度与高度，包括下述步骤。利用一干式蚀刻，通过图案开口形成一沟槽于一第一多晶硅层内。继而经由一化学气相沉积制程沉积一氧化物层于该多晶硅层上以充填该沟槽。利用一化学机械研磨制程，移除该氧化物层的部分区域，以使该填满沟槽的氧化物层与该第一多晶硅层大体上齐平。利用该填满沟槽的氧化物来进行一干式蚀刻，将该第一多晶硅层制定图案成为一浮动栅，并且该浮动栅的转角边缘具有一多晶硅尖头。本发明所述快闪存储器制程，可控制尖头角度及维持尖头高度，且节省了一次熔炉的花费并且简化了制程步骤。