半导体器件及其制程方法、半导体芯片及其制程方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种半导体器件及其制程方法、半导体芯片及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底包括第一类型阱区和第二类型阱区；在半导体衬底上形成栅极置换层并图案化栅极置换层以定义栅极区域；在栅极区域形成栅极；对第一类型阱区对应的栅极进行预掺杂以形成第一类型栅极，保留第二类型阱区对应的栅极以作为第二类型栅极；去除残留的栅极置换层。该制程方法能够有效提高形成的第一类型栅极的性能，并保证形成的第一类型栅极和第二类型栅极的形貌的完整性以及关键尺寸的均匀性较好。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制程方法、半导体芯片及其制程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284213A
申请号 ：
CN202111350273.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程亚杰
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
时乐行
优先权 ：
CN202111350273.5
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20211115
申请日 : 20211115
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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