半导体器件及其制程方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种半导体器件及制程方法，包括：半导体衬底、栅氧化层及多晶硅栅极。其中，半导体衬底包括第一导电类型的漂移区和第二导电类型的阱区，漂移区远离阱区的一端设有漏区，阱区远离漂移区的一端设有源区；栅氧化层设置在半导体衬底上，且位于源区和漏区之间；多晶硅栅极设置在栅氧化层上，其中，多晶硅栅极的至少部分投影在漂移区上，且多晶硅栅极投影在漂移区上的部分包括掺杂浓度不一致的至少两个栅极区域，以在工作时，从漂移区靠近阱区的一端至漏区的方向上，多晶硅栅极投影在漂移区上的部分与漂移区构成的场板电容之间的绝缘层的等效电性厚度逐渐增大，以此提高半导体器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497223A
申请号 ：
CN202210101346.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程亚杰施森华
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎坚怡
优先权 ：
CN202210101346.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
