半导体器件及其制程方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极；在半导体衬底上形成应力膜层，对应力膜层进行退火处理，并去除应力膜层；在去除应力膜层后的栅极两侧的半导体衬底中分别形成轻掺杂区域。该制程方法能够大大提高施加于栅极的有效应力，且不会对后续形成的轻掺杂区域造成影响。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373717A
申请号 ：
CN202111509376.1
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程亚杰
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
任欢欢
优先权 ：
CN202111509376.1
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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