凸块制程

专利权的终止

摘要

一种凸块制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上，其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。之后形成具有多个第二开口的一图案化光阻层于球底金属层上，其中这些第二开口分别位于这些第一开口的上方。然后对应这些接点而形成多个凸块于第二开口内，其中这些凸块的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些凸块进行蚀刻，以平坦化这些凸块的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些凸块所覆盖的部份。

基本信息

专利标题：

凸块制程

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101038441A

申请号：

CN200610064835.9

公开（公告）日：

2007-09-19

申请日：

2006-03-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王俊恒

申请人：

南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

优先权：

CN200610064835.9

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 G03F7/26 H01L21/027 H01L21/50