凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法
公开
摘要
本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、第一保护层、第二保护层、第三保护层、导电金属层、导电凸块和焊帽，第一保护层设置有第一开口，第二保护层设置有第二开口，通过在第三保护层上设置第三开口，锡球焊接时能够起到加强焊接结构强度的作用，同时能够防止焊料侧翼流动，避免桥接问题。同时，在电镀锡层后，针对基板焊接时，当焊盘为线路或焊球时，第三保护层可以限制焊料流动，并且回流过程中、焊接在基板过程后进行底部填充胶时，底部胶层可以通过毛细作用更好地填充进第三开口中，从而提升了焊接效果。
基本信息
专利标题 ：
凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597136A
申请号 ：
CN202210231090.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜滔肖选科
申请人 ：
甬矽半导体（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
梁晓婷
优先权 ：
CN202210231090.X
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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