凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法
公开
摘要
本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、第一缓冲层、第一保护层、导电组合层和导电凸块，通过在芯片的一侧依次设置第一缓冲层、第一保护层，并在第一导电开口内设置导电组合层，最后在导电组合层上完成导电凸块的制作，其中，通过在第一缓冲层上设置第一缓冲层，能够有效地对导电组合层进行缓冲，降低焊接脱落概率。同时，通过设置第一凹槽，使得导电组合层延伸至第一凹槽内，从而大幅提升了导电组合层与第一缓冲层之间的结合力，进而提升了导电凸块与芯片之间的结合力你，避免出现导电凸块掉落的问题，保证了结构的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597137A
申请号 ：
CN202210233438.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜滔肖选科
申请人 ：
甬矽半导体（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
梁晓婷
优先权 ：
CN202210233438.9
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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