NAND闪存装置及其编程方法
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摘要
公开一种NAND闪存装置，该装置包括经由多条位线连接到页缓冲器的存储单元阵列。页缓冲器存储要在存储单元阵列中编程的输入数据。通过根据输入数据为多条位线建立位线电压并将字线电压施加到存储单元阵列来编程存储单元阵列。通过将位线首先预充电到电源电压然后根据输入数据选择性放电位线来建立位线电压。顺序放电位线，即某些位线在其它位线放电之前放电。
基本信息
专利标题 ：
NAND闪存装置及其编程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832024A
申请号 ：
CN200510135715.9
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李镇旭张枰汶
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
郭定辉
优先权 ：
CN200510135715.9
主分类号 ：
G11C7/00
IPC分类号 ：
G11C7/00 G11C7/12 G11C16/06 G11C16/10 G11C16/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2012-03-21 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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