闪存编程参数确定方法、装置、电子设备及存储介质

授权

摘要

本申请提供一种闪存编程参数确定方法、装置、电子设备及存储介质。本申请提供的闪存编程参数确定方法，包括：先执行第一编程参数组后生成第一测试结果文件，然后根据第一测试结果以及预设遗传算法确定第二编程参数组，再执行第二编程参数组以生成第二测试结果文件，并进行循环优化，从而最后根据多个编程参数组、每个编程参数组对应的测试结果以及预设聚类算法确定预配置编程参数组，其中，预配置编程参数组用于配置闪存的各个编程参数。本申请提供的闪存编程参数确定方法，可以快速高效地调整编程参数，达到缩短闪存编程参数优化时间的目的，减少在闪存开发过程中预配置编程参数组确定过程中的人力投入。

基本信息

专利标题：

闪存编程参数确定方法、装置、电子设备及存储介质

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111243647A

申请号：

CN202010002876.5

公开（公告）日：

2020-06-05

申请日：

2020-01-02

授权号：

CN111243647B

授权日：

2022-05-24

发明人：

董亮付祥李永安郑炜融杨海峰

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

杨俊辉

优先权：

CN202010002876.5

主分类号：

G11C16/10

IPC分类号：

G11C16/10