页缓冲器电路、快闪存储器器件及其编程操作方法
授权
摘要
本发明涉及一种尺寸缩小的页缓冲器电路、一种具有页缓冲器电路的快闪存储器器件及其编程操作方法。根据本发明，即使在没有数据比较电路的情况下，页缓冲器电路也能够使用数据检验电路来执行多级元件(MLC)的编程操作。因此，能够减少占用面积，并且也能够缩小快闪存储器器件的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
页缓冲器电路、快闪存储器器件及其编程操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1870176A
申请号 ：
CN200510136253.2
公开（公告）日 ：
2006-11-29
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
元嘇规成镇溶
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510136253.2
主分类号 ：
G11C16/02
IPC分类号 ：
G11C16/02 G11C16/06 G11C16/10 G11C7/00 G11C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
法律状态
2009-04-15 ：
授权
2007-01-24 ：
实质审查的生效
2006-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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