存储器件
授权
摘要
本公开涉及存储器件。一种存储器件具有行解码器、页缓冲器和外围电路被设置在存储单元阵列之下的垂直结构。行解码器和页缓冲器可以不对称地设置。外围电路设置在其中不设置行解码器和页缓冲器的区域中。行解码器和页缓冲器可以关于面的界面对称地设置。外围电路可以设置在包括面的界面的一部分的区域中。
基本信息
专利标题 ：
存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107393583A
申请号 ：
CN201710343080.4
公开（公告）日 ：
2017-11-24
申请日 ：
2017-05-16
授权号 ：
CN107393583B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
任琫淳沈相元
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张波
优先权 ：
CN201710343080.4
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406 G11C11/4074 G11C11/408 G11C11/4093
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
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静态存储器
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G11C11/21
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G11C11/34
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G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-01-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/406
申请日 : 20170516
申请日 : 20170516
2017-11-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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