集成电路存储器件和可变电阻存储器件
公开
摘要
提供了一种集成电路存储器件和可变电阻存储器件。该集成电路存储器件包括在衬底上的多个行选择晶体管和虚设行选择晶体管。多条字线和多条虚设字线也提供在衬底上。提供电连接到所述多条字线中的对应的字线的多个存储单元。提供电连接到所述多条虚设字线中的对应的虚设字线的多个虚设存储单元。提供将所述多条字线中的第一字线电连接到所述多个行选择晶体管中的第一行选择晶体管的第一布线结构，以及提供将所述多条虚设字线电连接在一起并将所述多条虚设字线电连接到虚设行选择晶体管的第二布线结构。
基本信息
专利标题 ：
集成电路存储器件和可变电阻存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388556A
申请号 ：
CN202111208643.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任宝林金泓秀朴钟国崔豪势成贤柱
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
程丹辰
优先权 ：
CN202111208643.1
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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