半导体集成电路以及存储器

授权

摘要

本实用新型实施例涉及一种半导体集成电路以及存储器，半导体集成电路包括：经由列选择模块与位线连接的第一数据线以及经由列选择模块与互补位线连接的第一互补数据线，第二数据线，参考数据线，所述参考数据线用于提供参考基准信号，还包括：本地读写转换模块，响应于读写控制信号，在读写操作期间，所述第一数据线与所述第二数据线之间传输数据，所述第一互补数据线与所述第二数据线之间传输数据；放大模块，用于接收所述第二数据线的数据信号以及所述参考基准信号，对所述第二数据线的数据信号进行放大，所述参考基准信号作为放大所述第二数据线的数据信号的参考基准。本实用新型实施例能够改善半导体集成电路的电学性能。

基本信息

专利标题：

半导体集成电路以及存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021160493.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-19

授权号：

CN212392000U

授权日：

2021-01-22

发明人：

尚为兵陈继兴武贤君

申请人：

长鑫存储技术（上海）有限公司

申请人地址：

上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元（名义楼层9层）

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成丽杰

优先权：

CN202021160493.2

主分类号：

G11C11/409

IPC分类号：

G11C11/409 G11C11/4093 G06F3/06