非易失性存储器集成电路
授权
摘要
本公开的实施例涉及非易失性存储器集成电路。在一个实施例中，集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置，该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020638963.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-24
授权号 ：
CN212392003U
授权日 ：
2021-01-22
发明人 ：
F·塔耶M·巴蒂斯塔
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202020638963.5
主分类号 ：
G11C16/14
IPC分类号 ：
G11C16/14 G11C16/24 G11C16/26 G11C16/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/14
用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路
法律状态
2021-01-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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