集成电路结构和存储器

授权

摘要

本公开提供了一种集成电路结构和存储器，涉及半导体存储器技术领域。该集成电路结构包括：焊盘区域，包括沿目标方向配置的多个信号焊盘；电路区域，设于所述焊盘区域的一侧，包括沿所述目标方向配置的且分别与各所述信号焊盘对应连接的多个输入/输出电路模块，各所述输入/输出电路模块用于实现输入信号的采样操作并将采样结果写入存储阵列，以及读出所述存储阵列存储的数据；其中，所述电路区域沿所述目标方向的尺寸小于所述焊盘区域沿所述目标方向的尺寸。本公开可以提高存储器写操作的性能。

基本信息

专利标题：

集成电路结构和存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020082043.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-14

授权号：

CN210805230U

授权日：

2020-06-19

发明人：

张良

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

王辉

优先权：

CN202020082043.X

主分类号：

G11C5/02

IPC分类号：

G11C5/02 G11C5/06