集成电路结构
专利权的终止
摘要
一种集成电路结构，此结构包括基底、接触窗与肖特基接触金属层。基底上已形成有重掺杂区与轻掺杂区。接触窗设置于重掺杂区上，而肖特基接触金属层则设置于轻掺杂区上，与基底构成肖特基二极管。其中，接触窗的材料与肖特基接触金属层的材料不同。
基本信息
专利标题 ：
集成电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620112554.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-04-20
授权号 ：
CN2927322Y
授权日 ：
2007-07-25
发明人 ：
郑朝华
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200620112554.1
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2013-06-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101471724124
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006201125541
申请日 : 20060420
授权公告日 : 20070725
终止日期 : 20120420
号牌文件序号 : 101471724124
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006201125541
申请日 : 20060420
授权公告日 : 20070725
终止日期 : 20120420
2007-07-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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