集成电路晶片结构
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摘要

本发明提供一种集成电路晶片结构,包括一焊垫结构、一低介电常数层及主动电路。焊垫结构包含了一焊垫,一第一实心导电板,及一第二实心导电板。第一实心导电板位于焊垫的下方且与焊垫导通。第二实心导电板位于第一实心导电板下方。一低介电常数层或低介电常数层与二氧化硅层的组合位于焊垫结构下方。至少部分的主动电路位于焊垫结构的下方。本发明所述集成电路晶片,具有良好的结合能力,且其制程步骤相对于已知技术有较低的成本,以及其较易转换至设计规则。

基本信息
专利标题 :
集成电路晶片结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1783469A
申请号 :
CN200510117349.4
公开(公告)日 :
2006-06-07
申请日 :
2005-11-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨青天张守仁曹敏米玉杰
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN200510117349.4
主分类号 :
H01L23/485
IPC分类号 :
H01L23/485  H01L27/02  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构,例如平面型触头
法律状态
2008-04-02 :
授权
2006-08-02 :
实质审查的生效
2006-06-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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