晶片导通片组件及集成电路结构
授权
摘要
一种晶片导通片组件，晶片导通片组件包括第一导通片以及第二导通片，第一导通片的第一电极连接部的相对二表面分别设有第一突出区域以及第一凹陷区域，第一突出区域用于接触第一电极，第一电极连接部具有第一侧以及第二侧，第一凹陷区域由第一侧朝向第二侧延伸且与第二侧具有间距；第二导通片与第一导通片电性隔绝，第二导通片的第二电极连接部的相对二表面分别设有第二突出区域以及第二凹陷区域，第二突出区域用于接触第二电极，第二电极连接部具有第一侧边以及第二侧边，而第二凹陷区域由第一侧边朝向第二侧边延伸且与第二侧边具有间距。本实用新型大幅降低了传输阻抗，且简化晶片了的封装制程。
基本信息
专利标题 ：
晶片导通片组件及集成电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021734843.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
CN212461672U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
陈秋讚林孟辉
申请人 ：
富鼎先进电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县竹北市台元一街5号12楼之1及12楼之2
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李旭
优先权 ：
CN202021734843.1
主分类号 ：
H01L23/492
IPC分类号 ：
H01L23/492
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/492
基片或平板的
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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