集成电路和半导体晶片
授权
摘要
本公开的实施例涉及一种集成电路和半导体晶片。该集成电路包括存储器单元，该存储器单元包含反熔丝器件。该反熔丝器件包括状态晶体管，其具有控制栅级和被配置为浮置的第二栅极。选择性地断开控制栅级和第二栅极之间的介电层，以便在反熔丝器件上赋予击穿状态，其中第二栅极电耦合至控制栅级，用于存储第一逻辑状态。否则，反熔丝器件处于非被击穿状态，用于存储第二逻辑状态。
基本信息
专利标题 ：
集成电路和半导体晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921428861.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN210897284U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
P·弗纳拉F·马里内特
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201921428861.4
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 G11C17/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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