光能波半导体晶片构造
专利权的终止
摘要
一种光能波半导体晶片构造，是包含有一基材与一披覆材，该基材是由铝合金、珐琅质、钛合金等低膨胀系数材料任一或混合所预先成型的元件，该披覆材则是均匀披覆或喷附于基材表面的导电材料，可与基材一体形成一半导电性发热薄膜，使该半导体晶片可在不须通电的情况下自动放射光能波，同时产生快速共振吸收作用，而可对人体健康产生极大助益。
基本信息
专利标题 ：
光能波半导体晶片构造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620043133.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-06-23
授权号 ：
CN200962431Y
授权日 ：
2007-10-17
发明人 ：
黄定宗
申请人 ：
黄定宗
申请人地址 ：
台湾省彰化县伸港乡大同村大同路47号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
吴林松
优先权 ：
CN200620043133.8
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L41/09 H01L37/00
相关图片
法律状态
2015-08-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101619999502
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006200431338
申请日 : 20060623
授权公告日 : 20071017
终止日期 : 20140623
号牌文件序号 : 101619999502
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006200431338
申请日 : 20060623
授权公告日 : 20071017
终止日期 : 20140623
2007-10-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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