半导体装置及半导体晶片
公开
摘要
本发明提供能够在半导体装置或半导体晶片的处理中抑制在划痕线产生的裂纹的行进的半导体装置及半导体晶片。本发明的半导体装置包含：在一个面形成有元件的由碳化硅构成的半导体基板；在半导体基板的周围的预先确定的区域配置的不形成元件的周缘部；形成于周缘部并且在内部填充有热膨胀率与碳化硅不同的材料的多个沟槽或者沟槽的一部分。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497176A
申请号 ：
CN202111221104.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古田建一辻本雅夫寺田信广原口正博井上刚金子裕一黑木弘树古平贵章
申请人 ：
拉碧斯半导体株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县横滨市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
闫小龙
优先权 ：
CN202111221104.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L23/00
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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