半导体晶片测量装置和方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及度量方法的用途以及本文中公开的相关装置，所述装置包括热处理设备，还涉及改进缺陷检测的方法。具体地，本发明还涉及对半导体晶片进行热处理的方法，从而加速间隙缺陷的迁移，同时基本上不改变空位缺陷。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片测量装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142475A
申请号 ：
CN200680008385.X
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
肯尼思·斯蒂普莱斯
申请人 ：
QC塞路斯公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京明和龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
郁玉成
优先权 ：
CN200680008385.X
主分类号 ：
G01N27/22
IPC分类号 ：
G01N27/22 G01R31/28 G01R31/311
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/22
通过测试电容量
法律状态
2011-08-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101178703608
IPC(主分类) : G01N 27/22
专利申请号 : 200680008385X
公开日 : 20080312
号牌文件序号 : 101178703608
IPC(主分类) : G01N 27/22
专利申请号 : 200680008385X
公开日 : 20080312
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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