半导体测量装置及半导体测量方法
专利权的终止
摘要
本发明的课题在于提供一种半导体测量装置，用电子束对形成有精细结构的半导体衬底的表面进行二维扫描，测量此时的衬底电流，从而能够评价复杂的精细结构。本发明的半导体测量装置的构成为，对半导体衬底照射电子束，根据由该电子束在所述半导体衬底感应出的衬底电流得到形成于所述半导体衬底的精细结构的评价值，其特征在于，该半导体测量装置包括评价单元，该评价单元根据将所述衬底电流的波形视为微分波形时的该衬底电流的波形，得到所述精细结构的评价值。
基本信息
专利标题 ：
半导体测量装置及半导体测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101356635A
申请号 ：
CN200680050908.7
公开（公告）日 ：
2009-01-28
申请日 ：
2006-01-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田惠三高荣旭
申请人 ：
株式会社拓普康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗正云
优先权 ：
CN200680050908.7
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651899767
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2006800509087
申请日 : 20060131
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20150131
号牌文件序号 : 101651899767
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2006800509087
申请日 : 20060131
授权公告日 : 20101013
终止日期 : 20150131
2010-10-13 ：
授权
2009-03-25 ：
实质审查的生效
2009-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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