用于半导体射频处理装置的温度测量方法

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摘要

用于半导体射频处理装置的温度测量方法，包含：由电极产生一射频讯号序列，该射频讯号序列包含复数个不连续射频讯号，其中，任一射频讯号与其下一个射频讯号相隔一时间区间；及由温度传感器，于该时间区间期间，产生一温度感测讯号。

基本信息

专利标题：

用于半导体射频处理装置的温度测量方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111238669A

申请号：

CN201811439218.1

公开（公告）日：

2020-06-05

申请日：

2018-11-29

授权号：

CN111238669B

授权日：

2022-05-13

发明人：

荒见淳一周仁

申请人：

沈阳拓荆科技有限公司

申请人地址：

辽宁省沈阳市浑南区水家900号

代理机构：

沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

陈福昌

优先权：

CN201811439218.1

主分类号：

G01K7/16

IPC分类号：

G01K7/16 H01J37/32

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01K

温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件

G01K7/08

被测物体本身构成热电材料之一，例如，尖端型的

G01K7/16

利用电阻元件

法律状态

2022-05-13 ：

授权

2021-03-23 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : G01K 7/16
变更事项 : 申请人
变更前 : 沈阳拓荆科技有限公司
变更后 : 拓荆科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
变更后 : 110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号

2020-06-30 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G01K 7/16
申请日 : 20181129

2020-06-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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