本发明公开了一种一种半导体晶圆DIE尺寸的测量方法，方法的步骤中含有：S1：对晶圆构建坐标系，获取晶圆的圆心坐标，获取基测DIE的尺寸及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸；其中，基测DIE为晶圆圆心附近的某个实际DIE；邻近DIE为基测DIE相邻斜角方向的实际DIE；S2：以基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸对应为预排列DIE的尺寸和预排列DIE之间的间隔尺寸，并根据晶圆的尺寸、晶圆的圆心坐标、基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸在晶圆上预排列出预排列DIE的分布，得DIE预排列图；DIE预排列图包括一行水平方向的预排列DIE和一行垂直方向的预排列DIE，并获得每个预排列DIE的位置坐标。它能够很好地测量DIE的大小，并且操作简单，测量结果误差较小。