半导体器件、其制造方法、及其测量方法

专利权的终止

摘要

提供一种半导体器件，能够容易地进行物理测试，而没有使特性退化。根据半导体器件的测量方法，用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封提供有包括终端部分的测试元件的元件层；去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜，以形成触及所述终端部分的接触孔；用含有导电材料的树脂填充所述接触孔；在将具有柔性的布线基片布置在用来进行填充用的树脂上之后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片经由含导电材料的所述树脂电连接起来；以及实施测量。

基本信息

专利标题：

半导体器件、其制造方法、及其测量方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101151544A

申请号：

CN200680010414.6

公开（公告）日：

2008-03-26

申请日：

2006-03-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

鹤目卓也浅野悦子

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

优先权：

CN200680010414.6

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2019-03-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20180317

2011-08-03 ：

授权

2008-05-21 ：

实质审查的生效

2008-03-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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