晶圆的CDSEM测量方法、装置及半导体器件

实质审查的生效

摘要

本申请公开了一种晶圆的CDSEM测量方法、装置及半导体器件，方法包括：步骤S1在当前晶圆上从所有位置点中进行位置点采样，利用CDSEM测量采样位置点的CD值，将采样位置点添加到抽样序列中；步骤S2在下一张晶圆上从除抽样序列中记录的位置点之外的其他位置点中进行位置点采样，并利用CDSEM测量采样位置点的CD值，将采样位置点添加到抽样序列中；继续执行步骤S2，直至抽样序列中记录的位置点能够覆盖整张晶圆上的所有位置点时，重置抽样序列并返回执行步骤S1。本案与现有技术中每张晶圆上只测量固定位置点相比，本发明在没有测量的地方也能进行测量，因此本发明在与现有技术花费相同时间条件下，可以使得晶圆的监控效果极大化。

基本信息

专利标题：

晶圆的CDSEM测量方法、装置及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114334685A

申请号：

CN202011065494.3

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2020-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李其衡贺晓彬李亭亭刘金彪

申请人：

中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司

申请人地址：

北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司

代理人：

刘广达

优先权：

CN202011065494.3

主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/66

在制造或处理过程中的测试或测量

法律状态

2022-04-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200930

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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