晶圆及半导体器件
授权
摘要
本公开是关于一种晶圆及半导体器件，所述晶圆包括晶圆本体和切割硅通孔，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；切割硅通孔设于所述切割道中，所述切割硅通孔内填充有保护材料。通过在切割道设置填充有保护材料的切割硅通孔，在进行晶圆切割时，对切割硅通孔进行切割，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过切割硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920997500.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN210110749U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201920997500.5
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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