一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件，晶圆包括分设于晶圆上的复数个半导体器件及分布于半导体器件周围的划片区域，半导体器件至少由衬底及其上依次形成的外延层、电极结构、金属互联结构组成，划片区域具有沟槽，沟槽开口方向位于金属互联结构一侧且深度至衬底，沟槽底部具有隔离层。它具有如下优点：避免晶圆片切割过程中产生的机械应力和电学应力造成的损伤蔓延至外延的有源区，改善半导体器件可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有半导体器件的晶圆及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022199394.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN212991039U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
林志东郭德霄何俊蕾赵杰王立阁汪晓媛刘成叶念慈
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202022199394.1
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L23/60 H01L21/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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