晶圆及半导体器件
授权
摘要
本公开是关于一种晶圆及半导体器件，所述晶圆包括晶圆本体和止裂硅通孔，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；止裂硅通孔设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。通过在切割道两侧设置填充有保护材料的止裂硅通孔，在进行晶圆切割时，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过止裂硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920996909.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN210015846U
授权日 ：
2020-02-04
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201920996909.5
主分类号 ：
H01L21/764
IPC分类号 ：
H01L21/764 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/764
空气隙
法律状态
2020-02-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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