单晶硅半导体晶圆
授权
摘要
本实用新型主题是一种单晶硅半导体晶圆。该单晶硅半导体晶圆包括不大于7μm的波纹度指数Wavred和300mm的直径，或者不大于4.5μm的波纹度指数Wavred和200mm的直径。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅半导体晶圆
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020922851.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN214026490U
授权日 ：
2021-08-24
发明人 ：
G·皮奇P·威斯纳
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘佳斐
优先权 ：
CN202020922851.2
主分类号 ：
B28D5/00
IPC分类号 ：
B28D5/00 B28D5/04
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B28
加工水泥、黏土或石料
B28D
加工石头或类似石头的材料
B28D5/00
宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工，例如半导体材料的精加工；所用设备
法律状态
2021-08-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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