一种新型半导体单晶硅炉水冷套
授权
摘要
本发明公开了一种新型半导体单晶硅炉水冷套,包括上部水冷套、下部水冷套、若干条水冷管;所述每条水冷管的一端为进水端、另一侧为出水端;水冷管自进水端向下延伸至下部水冷套外表面一侧,并沿着下部水冷套外表面周向延伸至另一侧后继续向上延伸直至出水端;所述上部水冷套与下部水冷套之间为中空的空间;该整体结构不会影响引晶及等径过程的观察视野,同时在具体使用时,由于在单晶炉内下沉的下部水冷套更接近液面位置,能够更加有效地构建温度梯度。
基本信息
专利标题 :
一种新型半导体单晶硅炉水冷套
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112048762A
申请号 :
CN202010868378.9
公开(公告)日 :
2020-12-08
申请日 :
2020-08-26
授权号 :
CN112048762B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
丁柏松罗汉昌姜宏伟穆童郑锴
申请人 :
南京晶能半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市经济技术开发区兴智路6号兴智科技园
代理机构 :
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
张弛
优先权 :
CN202010868378.9
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/00 F27D9/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-19 :
授权
2020-12-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20200826
申请日 : 20200826
2020-12-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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