一种水冷热屏结构以及单晶硅生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种水冷热屏结构以及单晶硅生长装置，涉及单晶硅生长领域。该水冷热屏结构的一具体实施方式包括：内壳的内表面排列设置槽形结构；内壳的剖面和外壳的剖面均为倒置的等腰梯形结构；内壳套装在外壳内，内壳的上边缘和下边缘分别与外壳的上边缘和下边缘密封连接；内壳与外壳之间形成空腔，冷却水导流装置设置于空腔内。该实施方式能够有效地提高水冷热屏结构吸收热辐射的能力，从而提高水冷热屏结构的散热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种水冷热屏结构以及单晶硅生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022506771.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN213977957U
授权日 ：
2021-08-17
发明人 ：
黄旭光焦鹏刘彬国
申请人 ：
晶澳太阳能有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市宁晋县晶龙大街
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张一军
优先权 ：
CN202022506771.1
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2021-08-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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