单晶硅的生长方法
授权
摘要
本发明涉及单晶硅的生长方法。在生长中的单晶硅侧面部负荷有热应力的条件下通过卓克拉尔斯基法生长单晶硅。使生长单晶的气氛气体为惰性气体和含氢原子物质气体的混合气体。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101203634A
申请号 ：
CN200580050178.6
公开（公告）日 ：
2008-06-18
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
稻见修一高濑伸光小暮康弘滨田建中村刚
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200580050178.6
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2011-06-08 ：
授权
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2008-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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