一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法
授权
摘要
本发明公开了一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法。该水冷热屏结构包括：水冷热屏本体以及设置于水冷热屏本体内部的气冷装置，其中，气冷装置，用于将惰性气体输送至单晶硅生长区域。该水冷热屏结构能够有效地提升单晶硅生长速度。
基本信息
专利标题 ：
一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置和单晶硅生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112760709A
申请号 ：
CN202011561712.2
公开（公告）日 ：
2021-05-07
申请日 ：
2020-12-25
授权号 ：
CN112760709B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
焦鹏黄旭光刘彬国
申请人 ：
晶澳太阳能有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市宁晋县晶龙大街
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨倩
优先权 ：
CN202011561712.2
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B13/00 C30B15/00 C30B27/00 C30B27/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-05-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20201225
申请日 : 20201225
2021-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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