区熔单晶硅生长炉
专利权的终止
摘要

本实用新型属于一种区熔单晶硅生长炉,采用呈矩形四角分布的四个导柱的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上,对应两边的两导柱之间设有丝杆,两丝杆上端与对应的顶板轴接,两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱输出端相接,两减速箱输入端通过连轴器与电机轴相接,滑座四角通过直线轴承与四个导柱滑配并与两丝杆螺接,滑座中部设有中心轴。本实用新型能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好,保证上下主轴的动态真空度,以达到理想的使用效果。

基本信息
专利标题 :
区熔单晶硅生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620117812.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-05-29
授权号 :
CN2913391Y
授权日 :
2007-06-20
发明人 :
张志新王军安桂正
申请人 :
北京东方科运晶体技术有限公司
申请人地址 :
100053北京市西城区德外大街11号C座312房间
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
闫立德
优先权 :
CN200620117812.5
主分类号 :
C30B13/00
IPC分类号 :
C30B13/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
法律状态
2016-06-29 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101667772296
IPC(主分类) : C30B 13/00
专利号 : ZL2006201178125
申请日 : 20060529
授权公告日 : 20070620
终止日期 : 无
2010-08-25 :
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007043022
IPC(主分类) : C30B 13/00
专利号 : ZL2006201178125
专利申请号 : 2006201178125
收件人 : 张文慧
文件名称 : 缴费通知书
2009-12-30 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京京运通科技有限公司
变更后 : 北京京运通科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 北京市西城区德胜门外大街11号C座312房间,邮编 : 100088
变更后 : 北京市北京经济技术开发区经海四路158号,邮编 : 100176
2009-01-07 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京东方科运晶体技术有限公司
变更后 : 北京京运通科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 北京市西城区德外大街11号C座312房间,邮编 : 100053
变更后 : 北京市西城区德胜门外大街11号C座312房间,邮编 : 100088
2007-06-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN2913391Y.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332