本实用新型公开了一种单晶硅生长装置，包括炉体，所述炉体内的相对侧壁上均固定有上固定块和下固定块，所述炉体内的底部固定有炉底护盘，所述炉底护盘的上端固定有石墨碳毡，且石墨碳毡位于下固定块的下端，所述上固定块的下端固定有上保温罩，所述下固定块的上端固定有下保温罩，所述上保温罩和下保温罩之间共同固定有中保温罩。本实用新型通过L型夹持板、坩埚托盘和连接块之间的配合，实现了能对不同大小的坩埚进行夹持的功能，提高了坩埚加热时的稳定性，保证了单晶硅的生长速度和质量，节约了时间，适用范围广，操作简单，大大减少了晶体的缺陷。