单晶硅生长用高纯石英热屏

授权

摘要

本实用新型公开了单晶硅生长用高纯石英热屏，沿石墨外导流筒的顶部开口向外侧延伸设有操作环；在石墨外导流筒内部的底面开设有呈向下凹陷状的定位环槽，高纯石英热屏从石墨外导流筒的顶部开口放置入石墨外导流筒的内部且高纯石英热屏的底部嵌入定位环槽的内部；在高纯石英热屏的外壁和石墨外导流筒的内壁之间隔有填充腔，在填充腔的内部填充有石墨碳毡层；在石墨外导流筒和高纯石英热屏的顶部开口处铺盖固定有上压盖，在上压盖的四周设有封闭环。本实用新型保温性能更好且不会对单晶硅产生任何杂质污染；生产过程相对简单，造价较低，既可以节约成本又可提高单晶硅品质，特别适合于规模化推广使用。

基本信息

专利标题：

单晶硅生长用高纯石英热屏

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022126130.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-25

授权号：

CN213327925U

授权日：

2021-06-01

发明人：

贾建亮贾建恩代祥斌

申请人：

廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司

申请人地址：

河北省廊坊市大厂潮白河工业区二路与福喜二路交叉口

代理机构：

北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

姚朝权

优先权：

CN202022126130.3

主分类号：

C30B15/14

IPC分类号：

C30B15/14