一种单晶硅生长炉热场阶段的热能回收利用装置
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摘要

本实用新型涉及单晶硅技术领域,且公开了一种单晶硅生长炉热场阶段的热能回收利用装置,包括圆筒,所述圆筒的顶部固定安装有支撑架,所述支撑架的内部固定安装有圆台体。该单晶硅生长炉热场阶段的热能回收利用装置,在进行热量回收的时候,工作人员先将侧板绕着滑轮转动至与导轨平行的位置,再缓慢的放下侧板,直至滑轮抵住导轨,然后由进水管向水箱内注入一定量的水,由于高温空气与侧板接触,内部的热量由侧板传递到水箱水内,水被蒸发成蒸汽通过出气管传输出水箱内,在装置吸收热量的同时,散热架随着散热装置一起转动,对流动到支撑架上出气管的蒸汽进行冷却呈水珠,并沿着回流管流入到水箱内,达到了减少生产热量对外部环境的影响。

基本信息
专利标题 :
一种单晶硅生长炉热场阶段的热能回收利用装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921618572.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-26
授权号 :
CN211471631U
授权日 :
2020-09-11
发明人 :
宋生宏罗乾陈立民高俊伟陈健
申请人 :
阳光能源(青海)有限公司
申请人地址 :
青海省西宁市经济技术开发区金源路
代理机构 :
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 :
丁国勇
优先权 :
CN201921618572.0
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  F22B1/02  F28B5/00  F24F5/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-09-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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