本发明实施例公开了一种用于单晶生长的热场调节装置和方法，该热场调节装置包括：顶部固定安装有导流筒的隔热筒；第一控制单元和第二控制单元，其中，所述第一控制单元经配置为在拉晶过程中控制坩埚的高度位置不变，所述第二控制单元经配置为在拉晶过程中驱动所述隔热筒沿竖直方向做升降运动，使得所述导流筒的底部与熔融硅的液面的距离始终保持一致。同时通过独立移动的加热器配合所述隔热筒移动实现多样化的热场控制，为工艺参数的调节提供更多的方法和支持，使得提高提拉速度和降低氧浓度变得容易，使得晶棒冷却更快，生长更快。