一种单晶炉用的热场及其单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉用的热场及其单晶炉,包括下托盘、上盖盘、坩埚、加热器和导流筒,导流筒的出气端朝向坩埚;热场还包括保温筒,保温筒套设在加热器外,保温筒的下端固定在下托盘,上端固定在上盖盘;保温筒的筒壁内设有多个第一排气管,保温筒内壁开设有进气口,进气口与第一排气管的上端一一对应连通;所述下托盘下方设有支撑环,支撑环下方设有支撑板,支撑板上设有通孔,第一排气管的出气端依次通过通孔、第二排气管连接真空泵进气口;第二排气管上设有电磁阀,能够使热场气流运行顺畅无气旋滞留,消除了各种反应物在炉室内的沉积,不用每次浪费很长时间对热场各部件及炉体的清扫工作。
基本信息
专利标题 :
一种单晶炉用的热场及其单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022227603.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-09
授权号 :
CN213624467U
授权日 :
2021-07-06
发明人 :
李嘉亮
申请人 :
西安邦泰电子技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市碑林区东关南街古新巷2号1栋10602室
代理机构 :
西安汇智创想知识产权代理有限公司
代理人 :
苏蓓
优先权 :
CN202022227603.9
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14 C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-07-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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