一种单晶炉热场
授权
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉热场,包括炉体、石墨电极、加热器、坩埚托盘、坩埚、石英坩埚、保温罩、导流筒;还包括石墨碳毡、石英环、托杆防漏套,所述托杆防漏套为上端开口底端封闭的筒状结构,且所述托杆防漏套底端设有通孔,所述坩埚托杆穿过通孔,所述托杆防漏套底端通孔边缘与所述坩埚托杆外表面焊接固定;所述石墨碳毡盘卷在所述保温罩周围,所述石墨碳毡之间设有单层无锡纸。本实用新型能够通过托杆防漏套对流经坩埚拖杆的漏硅液进行阻隔处理,防止漏硅液泄露导致漏硅液经坩埚拖杆杆身流到坩埚托杆底部,损坏炉体底部元件;在保温罩周围的石墨碳毡之间增加了单层无锡纸,能够进一步增加炉体的保温处理。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉热场
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921843202.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-30
授权号 :
CN211595844U
授权日 :
2020-09-29
发明人 :
王志磊张燕玲邢德春王志卿于彩凤
申请人 :
晶创铭盛电子科技(香河)有限公司
申请人地址 :
河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼
代理机构 :
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨玉廷
优先权 :
CN201921843202.7
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B15/14  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-09-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211595844U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332