一种单晶炉热场冷却装置
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摘要

本实用新型公开了一种单晶炉热场冷却装置,包括横向保温支撑环和至少两个冷却升降装置,每个冷却升降装置均包括托板、支撑连杆、波纹软管和升降底座;横向保温支撑环设在中部碳基保温筒和下部碳基保温筒之间,并与中部保温支撑筒底部相连;托板一端与横向保温支撑环相连,另一端与支撑连杆的顶端相连;支撑连杆位于碳基保温筒和炉筒之间的真空腔体内,另一端从炉底板中穿出,并与升降底座相连;波纹软管套装在支撑连杆外周;波纹软管内呈真空状态;波纹软管的长度能够伸缩,升降底座的高度能够升降。本申请能将热场的冷却时间缩短50%以上,并且拆炉时热场温度能控制在100‑200℃,减弱热场氧化,提高石墨件使用寿命,降低生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉热场冷却装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921411027.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-28
授权号 :
CN210657215U
授权日 :
2020-06-02
发明人 :
文勇孟涛王海庆姚亮
申请人 :
包头美科硅能源有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号
代理机构 :
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 :
石艳红
优先权 :
CN201921411027.4
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-06-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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