一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉。提升装置包括设在单晶炉内部的支撑结构(1)和提升托盘(2)，支撑结构(1)设在炉底(3)上方，提升托盘(2)设在支撑结构(1)上方；提升托盘(2)、支撑结构(1)、炉底(3)和单晶炉的中轴(4)处在同一条轴线上；坩埚托杆(5)依次穿过提升托盘(2)、支撑结构(1)和炉底(3)与中轴(4)连接，中轴(4)的直径大于第二通孔(11)的直径且小于或等于第三通孔(31)的直径并顶升支撑结构(1)；在提升托盘(2)上方设有下保温筒(6)，下保温筒(6)的直径小于提升托盘(2)的直径。本实用新型能够提升单晶炉停炉后的降温速度、缩短耗时、提高产量。
基本信息
专利标题 ：
一种加速热场冷却的提升装置及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921548329.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
CN211199468U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
罗才军关树军罗园李豹刘要普
申请人 ：
乌海市京运通新材料科技有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区乌海市海勃湾工业园区装备街2号
代理机构 ：
北京巨弘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈芹利
优先权 ：
CN201921548329.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211199468U.PDF
PDF下载
