单晶炉热场装置及单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开单晶炉热场装置及单晶炉。该单晶炉热场装置，包括：热屏，所述热屏在其中心形成有气流通道；换热部件，所述换热部件设置在所述气流通道内，并围合地形成提拉通道；所述热屏用于设置在坩埚的上方；所述热屏具有底部，所述底部至少部分地阻挡在所述换热部件与所述坩埚内的硅熔体液面之间。该单晶炉热场装置在热屏形成的气流通道内，设置换热部件，快速带走结晶释放的潜热；热屏的底部至少部分地阻挡在所述换热部件与硅熔体液面之间，改善热屏的效能；增加晶体纵向温度梯度，提高晶体生长速度。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉热场装置及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020086870.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-15
授权号 ：
CN211872142U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
邓浩严立新付泽华马少林王建波马宝文永飞谢志宴
申请人 ：
华坪隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
云南省丽江市华坪县石龙坝镇清洁载能产业园区
代理机构 ：
北京工信联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
白晓晰
优先权 ：
CN202020086870.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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