连续拉晶单晶炉的热场结构
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摘要

本实用新型公开了一种能够保证单晶硅连续拉晶的加热热场氛围以及惰性气体保护氛围的连续拉晶单晶炉的热场结构。该连续拉晶单晶炉的热场结构包括保温层、坩埚加热装置,下方设置有托盘;所述托盘下方设置有第一保温加热电阻;所述坩埚周围设置有加热电阻;所述加热电阻的分布在坩埚外侧且与坩埚的外型匹配;所述坩埚上方设置有导流筒;所述导流筒的下端的外侧设置有倒扣导流罩;所述炉体底部设置有反射层;所述炉体下端设置有加热电极以及保温电极;所述炉体上方的拉伸装置上设置有惰性气体入口;所述炉体底部设置有惰性气体吸气口。采用该连续拉晶单晶炉的热场结构能够保证单晶硅硅棒的连续拉伸,提高生产效率,保证产品品质。

基本信息
专利标题 :
连续拉晶单晶炉的热场结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022049427.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-17
授权号 :
CN213652724U
授权日 :
2021-07-09
发明人 :
陈五奎陈昊陈嘉豪陈辉
申请人 :
乐山新天源太阳能科技有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
代理机构 :
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李玉兴
优先权 :
CN202022049427.4
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-07-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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