光伏半导体拉晶设备的自动取热场装置
授权
摘要

本实用新型提供了光伏半导体拉晶设备的自动取热场装置,包括拉晶设备本体,还包括设置在拉晶设备本体左侧的热场保温筒抓取机构、设置在拉晶设备本体右侧的三瓣锅石英坩埚抓取机构以及底托盘输送机构,热场保温筒抓取机构和三瓣锅石英坩埚抓取机构上均设置有结构相同的夹持机构;本实用新型在拉晶设备本体上设置有热场保温筒抓取机构、三瓣锅石英坩埚抓取机构、底托盘输送机构和夹持机构,在生产完单晶硅棒后,通过热场保温筒抓取机构和三瓣锅石英坩埚抓取机构上的夹持机构分别将炉体的热场保温筒和三瓣锅石英坩埚取出,通过更换石英坩埚立马进行下一个单晶硅棒的生产,不需要等待炉体完全冷却、不需要人工介入,提高了生产效率的同时节省人力。

基本信息
专利标题 :
光伏半导体拉晶设备的自动取热场装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122882365.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-23
授权号 :
CN216237365U
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
方江平刘兴民罗如祥张万里
申请人 :
南京华捷飞智能科技有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园创研路266号人工智能产业园A区7号楼2层213室
代理机构 :
广东奥益专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
田树杰
优先权 :
CN202122882365.X
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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