磁极运行式半导体晶粒拉晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及半导体致冷件生产技术领域的设备，名称是磁极运行式半导体晶粒拉晶炉，包括炉座，在炉座上安装有炉腔，所述的炉腔是盛放拉晶管并对拉晶管进行加热的部件；在炉座左右两个侧面安装有立杆，分别是左立杆和右立杆，还有两个电动机带动的辊轮安装在立杆上，还有传送带安装在辊轮上，还有磁极安装在传送带上，分别是左磁极和右磁极，磁极在传送带上运行，上升时靠近炉腔，下降时远离炉腔，左磁极和右磁极相对的是异性磁极并相对设置；这样的拉晶炉具有拉晶效果好、生产效率高的优点。
基本信息
专利标题 ：
磁极运行式半导体晶粒拉晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021023597.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-08
授权号 ：
CN212505150U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
陈建民张文涛赵丽萍李永校钱俊有惠小青蔡水占王丹董铱斐
申请人 ：
河南鸿昌电子有限公司
申请人地址 ：
河南省许昌市长葛市魏武大道河南鸿昌电子有限公司
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021023597.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B30/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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