用于半导体晶棒拉晶的区熔炉

授权

摘要

本发明提供了一种用于半导体晶棒拉晶的区熔炉，包括：固定组件，用于将密封有半导体晶棒(16)的石英管(15)竖直悬空固定；环形的加热组件(14)，其设置有一让所述石英管(15)穿过的通孔(141)，所述加热组件(14)沿垂直方向的加热厚度为25±3mm；传动组件，用于在所述加热组件(14)工作时带动所述加热组件(14)从所述石英管(15)的底部匀速上升到顶部。

基本信息

专利标题：

用于半导体晶棒拉晶的区熔炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021334538.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-09

授权号：

CN212771039U

授权日：

2021-03-23

发明人：

阮秀清阮秀沧

申请人：

泉州市依科达半导体致冷科技有限公司

申请人地址：

福建省泉州市经济技术开发区孵化基地科技工业楼二楼A区

代理机构：

厦门原创专利事务所(普通合伙)

代理人：

黄一敏

优先权：

CN202021334538.3

主分类号：

C30B13/16

IPC分类号：

C30B13/16