拉晶炉
授权
摘要
本实用新型提供一种拉晶炉，包括：主炉体、过滤罐、真空泵、第一真空压力计、第二真空压力计、主控制阀及控制器；主炉体和过滤罐通过第一排气管路相连接，过滤罐和真空泵通过第二排气管路相连接，第一真空压力计设置于第一排气管路与主炉体相邻的一端，第二真空压力计设置于第一排气管路与过滤罐相邻的一端；主控制阀设置于第一排气管路上，控制器与第一真空压力计、第二真空压力计及主控制阀相连接，当第二真空压力计的检测数值大于第一真空压力计的检测数值时，控制器控制主控制阀处于关闭状态。本实用新型可以防止过滤罐及管路内的氧化物倒灌进主炉体内造成晶棒乃至机台的报废，可以有效降低机台的故障率，有助于提高生产品质。
基本信息
专利标题 ：
拉晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021970769.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
CN213013165U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
雷友述
申请人 ：
上海新昇半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路1000号1-4幢、6-19幢
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202021970769.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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